IC封裝是電子半導(dǎo)體中常見的封裝方式之一，是指通過把硅片上的電路管腳，用導(dǎo)線接引到外部接頭處，以便與其它器件連接。封裝形式是指安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的外殼。它不僅起著安裝、固定、密封、保護芯片及增強電熱性能等方面的作用，而且還通過芯片上的接點用導(dǎo)線連接到封裝外殼的引腳上，這些引腳又通過印刷電路板上的導(dǎo)線與其他器件相連接，從而實現(xiàn)內(nèi)部芯片與外部電路的連接。

因為芯片必須與外界隔離，以防止空氣中的雜質(zhì)對芯片電路的腐蝕而造成電氣性能下降。

而在IC的生產(chǎn)和IC封裝中，大多數(shù)工序都需要超純水進行清洗，晶圓及工件與水直接接觸，在封裝過程中的減薄工序和劃片工序，更是離不開超純水，一方面晶圓在減薄和劃片過程中的硅粉雜質(zhì)得到洗凈，而另一方面純水中的微量雜質(zhì)又可能使芯粒再污染，這毫無疑問將對封裝后的IC質(zhì)量有著極大的影響。

IC集成度的進一步提高，對水中污染物的要求也將更加嚴格。據(jù)美國提出的水質(zhì)指標(biāo)說明，集成度每提高一代，雜質(zhì)都要減少1/2～1/10。

隨著半導(dǎo)體IC設(shè)計規(guī)則從1.5～0.25μm的變化，相應(yīng)地超純水的水質(zhì)除電阻率已接近理論極限值外，其TOC(總有機碳)、DO(溶解氧)、Si02、微粒和離子性雜質(zhì)均減少2～4個數(shù)量級。

在當(dāng)前的水處理中，各項雜質(zhì)處理的難易程度依次是TOC、SiO2、DO、電阻率，其中電阻率達到18MΩ.cm(25℃)是當(dāng)前比較容易達到的。由于TOC含量高會使柵氧化膜尤其是薄柵氧化膜中缺陷密度增大，所以柵愈薄要求TOC愈低，況且現(xiàn)在IC技術(shù)的發(fā)展趨勢中，芯片上柵膜越來越薄，故降低TOC是當(dāng)前和今后的最大難點，因而已成為當(dāng)今超純水水質(zhì)的象征和重心。